许富翔个人资料
许富翔，芯片行业著名资深芯片设计师，现为中芯国际公司技术总监。他曾获得多项国家级科技成果奖，是中国芯片设计领域的杰出代表之一。
教育经历
1988年至1992年，就读于南京大学电子系，获得学士学位。
1992年至1995年，就读于中国科学院微电子研究所，获得硕士学位。
工作经历
1995年至1999年，在如意集成电路设计有限责任公司工作，担任了多种职位，积累了丰富的工作经验。
1999年加入中芯国际，负责设计出有关闪存的芯片，开创了中国的闪存工艺平台，并创造了先进的生产工艺。
荣誉奖项
2008年，许富翔被评为“中国芯片设计十年功勋人物”；
2013年，被授予“国家科技进步二等奖”。
成就
自2000年至今，许富翔对芯片的技术研究领域做出了重大贡献，其研究方向涉及芯片存储互连及其布线设计、片上时钟的分配与优化等，创新性提出了多项技术方法。
在芯片领域，许富翔还发表了数篇高水平学术论文，取得了一系列重大技术成果，获得多项国家专利。他的技术成果广泛应用于闪存、存储器、微控制器等微电子系统中。